yandex rtb 1
ГоловнаЗворотній зв'язок
yande share

Наноелектроника (2 часть)

2. Результати

 

Деякі результати для Σ/Σ0 і α/α0 наведені на рис. А.1, 2 у стандартному безрозмірному вигляді як функція зведеної товщини k2 = d2/λ2 верхнього шару для суцільного покриття і як функція зведеної товщини k = d/λ2 для острівцевого покриття. Для спрощення цих залежностей, передбачається, що ефективні маси електрона і коефіцієнти відбиття на межах зерен однакові в обох шарах, тобто  і Rgl Rg2 = Rg, а також для полікристалічних зразків вважається, що діаметр зерна дорівнює товщині шару, тобто D1 = d1 і D2 = d2.

Рисунок А.1 – Відносна зміна провідності (а) та ТКО (б) для суцільних моно- і полікристалічних двошарових плівок (l1 = k1 і l2 = k2) при збільшенні товщини верхнього шару при різних величинах параметрів електроперенесення: R = 0,8; Т = 0,2; р2 = 0,9 – суцільна лінія; R = 0; Т = 1; р2 = 0,2 – пунктирна лінія; R = 0; Т = 0,2; р2 = 0,9 – штрихпунктирна лінія. Інші параметри були однакові для всіх залежностей k1 = 0,2;  р1 = 0,2  і  р0 = 0,2

 

Для числових розрахунків значень параметрів для гіпотетичного плівкового зразка, що складається з базового шару срібла і верхнього шару індію, були використані такі дані: величини питомого опору ρ01 = 1,51·l0-8 Ом·м  і ρ02 = 8,0·l0-8 Ом·м;  ТКО α01 = 4,106·l0-3 К-1, α02 = 5,51·l0-3 К-1 та довжини вільного пробігу λ1 = 55,6 нм і λ2 = 6,6 нм.

 

 

40