ГоловнаЗворотній зв'язок

Основи електроніки та електротехніки

Складений транзистор

Складений транзистор широко використовується в диференційних каскадах, які є основою операційних підсилювачів. Він складається з комбінації двох транзисторів, з'єднаних відповідним чином (схема Дарлінгтона). Ця схема (рис.) має два транзистори, з'єднані колектори яких являють собою загальний колектор складеного тран­зистора, а до бази транзистора VT2 під'єднаний емітер транзистора VTI. При цьому база транзистора VTI і емітер транзистора VT2 яв­ляють собою відповідно загальну базу і загальний емітер складеного транзистора.

         На практиці такий складений транзистор створюють у процесі монтажу зовнішніх виводів двох дискретних транзисторів. При ви­робництві аналогових ТМС складений транзистор створюють в одній пластині напівпровідника з внутрішніми з'єднаннями в необхідних точках.                            

         Особливістю складеного транзистора є високий коефіцієнт пере­дачі струму бази h21EC. Оскільки

                                                  

і

                       ,

то

                       .

Приймаючи до уваги, що dIв1=dIв , запишемо коефіцієнт передачі сіруму бази складеного транзистора

            

Оскільки звичайно виконуються нерівності h21E1 >>1  і h21E2 >> 1 , то

                                                .                                            

У формулах  і  індекс «1» стосується параметрів транзистора VT1, а індекс «2» — транзистора VT2

Коефіцієнт підсилення за струмом складеного транзистора наповнiøe можна визначити за формулою , якщо номінальний вхідний струм транзистора VT2 дорівнює номінальному вихідному струму транзистора VTI, тобто Iв2=Ic1»IE1.Tому транзистор VT2 не­обхідно вибирати потужнішим (з більшою площею колектора).

Можна використовувати в складеному транзисторі однотипні транзистори VTI і VT2 (рис.) одного рівня потужності. Для зменшення постійної складової струму бази транзистора VT2 засто­совують струмовідвідну ланку з низькоомного резистора R і транзис­тора VT3. Останній працює в активному режимі, запобігаючи шунту­ванню резистором R змінних складових сигналів в базі транзистора VT2 , що забезпечує високий h21EC .Крім того, транзистор в діодному ввімкненні має високу термостабільність режиму складеного транзис­тора за постійним струмом.

 

 

48